Atomic Layer Etching (ALE) for GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

SENTECH社 하이 엔드 플라즈마 에칭 시스템 SI (500) 는 저 손상 에칭 및 나노 구조화를 위해 낮은 이온 에너지를 갖는 유도 결합 플라즈마를 사용한다

SI 500 D 는 플라즈마 기반 증착 공정에 탁월한 성능을 제공합니다. 고품질 유전체 및 Si 막은 PTSA ICP 플라즈마 소스로 생성 된 고밀도 PECVD를 사용하여 증착됩니다.

SENTECH사의 SI PEALD system은 저온의 원자 증착 장비로 실시간으로 원자 증착을 Monitoring 할 수 있는 In-Situ Ellipsometor를 장착하여 높은 Quality의 막질과 공정 개발이 가능한 제품입니다.